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IPDIA-fondgris
PICS
La société IPDiA, dont le siège est situé en France à Caen, a développé une technologie très innovante de circuits passifs sur Silicium (IPD pour Integrated Passive Devices).
Cette technologie révolutionnaire assure une miniaturisation de l’électronique (hauteur de puces de l’ordre de 50 à 200µm) et permet une intégration extrême ainsi que des performances remarquables (très haute fiabilité, gamme de températures pouvant aller de -250°C à +250°C, grande stabilité même à des fréquences supérieures à 60GHz, faible dérive et faible derating en tensions et en températures).

 

 

Produits proposés :

  • Capacités RF ultra fines : Comprises entre 50 et 200µm de hauteur, ces capacités permettent de s’intégrer dans des systèmes ultra fins tels que Cartes bancaires, Passeports biométrique, Tag RF ID, IoT.
    Avec des valeurs de quelques pF à plusieurs µF, elles permettent d’assurer des fonctions de filtrage ou d’adaptation d’antennes RF (flexibilité d’utilisation de différentes références de Chip RF actif en fonction de la capacité parasite de ceux-ci) et peuvent aider à diminuer significativement la taille des antennes ou augmenter leur sensibilité en jouant sur les couples LC. Disponibles sur demande sous forme de wafers, ces capacités peuvent s’intégrer selon les mêmes process de fabrication que les chips RFID ou NFC.
  • PerformancesCapacités haute fiabilité (Hi-Rel) : Cette gamme de produits offre des performances remarquables en terme de stabilité en température, en vieillissement et en tension, avec une excellente fiabilité sur des plages très étendues pouvant aller de -250°C à +250°C.
    Ces capacités peuvent être disponibles sous forme de puces wirebondées pour être intégrées dans des MCM (lorsque la fiabilité et la miniaturisation sont essentielles). Elles peuvent aussi être disponibles dans des formats plus standards (0201, 0402, 0605, …) pour remplacer dans la même empreinte, des capacités de technologies différentes pour augmenter les performances ou la fiabilité de vos systèmes actuels. Certains de ces produits ont également été qualifiés pour des applications aéronautiques, Oil & Gas, automobiles et même spatiales du fait de l’excellent compromis offert en termes de performances, miniaturisation et fiabilité y compris pour les environnements les plus sévères.
  • Capacités UBB (Ultra Broadband) : Avec des performances en ESL et en ESR nettement supérieures aux solutions concurrentes et avec une très bonne stabilité de ses caractéristiques jusqu’à 60GHZ, cette gamme de capacités représente une solution incontournable pour des applications de couplage ou de filtrage dans toutes les applications hyper-fréquences.
    Très utilisées aujourd’hui dans des modules fibre optique (transceivers 10, 40, voire 100GigE), pour des fonctions LNA ou autour de transistors RF de puissance (GAN), elles deviennent les éléments clés pour assurer les meilleures performances pour toutes les applications de communications très haut débit.
  • IPDiA wafer fab-smallIPD (Integrated Passive Devices) : Liées à cette technologie (homogène) de passifs sur silicium, IPDiA peut à la fois intégrer des capacités, résistances, inductances et même de petites diodes sur la même puce. Cette solution est intéressante à la fois pour sa compacité/intégration, la simplification d’assemblage de votre système, l’homogénéité en termes de dispersion relative de capacité à capacité ou résistance à résistance.
    De plus, l’intégration sur une puce de toutes ces fonctions permet de protéger  davantage vos IPs et de rendre plus complexe toute tentative de « reverse engineering » pour vos concurrents.
  • SiP (System-in-Package) : Tout en regroupant différents passifs sur une puce monolithique, IPDiA peut aussi intégrer par report, des puces actives. Ceci vous permettra ainsi d’obtenir une solution ultra-compacte, intégrée et propriétaire, difficilement reproductible avec les meilleures performances garanties en terme de découplage et filtrage.. Types d’applications : Capteurs automobile, médical…

Tous ces produits sont conçus et fabriqués en France.